ხვრელური გამტარობის გაუმჯობესების პერსპექტივები ZnO-ს ნანოსადენებში

ავტორი: თამარ ჭელიძე
თანაავტორები: თამაზ კერესელიძე, თეიმურაზ ნადარეიშვილი
საკვანძო სიტყვები: ZnO, ნანოსადენი, ლეგირება
ანოტაცია:

ნახევარგამტარული ნანოსადენები მომავალი ოპტო-ელექტრონული ხელსაწყოების ძირითად ელემენტად წარმოდგინდება, რადგან მათ ბევრი საინტერესო ელექტრული და ოპტოელექტრული თვისება გააჩნიათ. თუმცა, ნებისმიერი ნახევარგამტარული ტექნოლოგიის წარმატება დამოკიდებულია ლეგირების შესაძლებლობაზე. როგორც n- ასევე p-ტიპის ნახევარგამტარების არსებობა მნიშვნელოვანია ნანოსადენებზე დაფუძნებული ელექტრონიკის რეალიზაციისთვის. ZnO-ს ახასიათებს ლეგირების პოლარობა. ის შესაძლებელია ადვილად იქნას ლეგირებული n-ტიპის მინარევებით, თუმცა p-ტიპის ლეგირება გართულებულია. ძირითადი მიზეზი, რომელიც აძნელებს n- ან p-ტიპის ნიმუშების მიღებას, არის მაკომპენსირებელი დეფექტების წარმოქმნა. კომპენსაციის პროცესები დამოკიდებულია სისტემის ელექტრონულ მდგომარეობაზე: აკრძალულ ზონაზე, დონორების, აქცეპტორების და მათი მაკომპენსირებელი ცენტრების იონიზაციის ენერგიაზე. წარმოდგენილ სამუშაოში ჩვენ გამოვთვალეთ ZnO ნანოსადენში მდებარე კულონურ ცენტრზე ბმული მუხტის მატარებლის ენერგეტიკული დონეები.

მიმაგრებული ფაილები:

Perspective of p-conductivity Enhancement in ZnO Nanowires [en]
ხვრელური გამტარობის გაუმჯობესების პერსპექტივები ZnO-ს ნანოსადენებში [ka]